九游会j9官方网站：三星晶圆代工计划在1nm级制程节点完成High NA EUV商业使用

  IT之家 8 月 11 日音讯，依据韩媒 ZDNET Korea 当地时间今天的现场采访报道，来自三星电子半导体研究院晶圆代工工艺开发团队的 박창민 (Park Chang Min) 表明，该企业计划在 1nm 级工艺制程节点完成 High NA EUV 设备的商业化使用

  박창민在首尔举办的 NGL 2026 学术会议上表明，关于 2nm 的 SF2 和 1.4nm 的 SF1.4 两个近期节点来说，High NA EUV 光刻图画化技能仍不算老练。而更高的图画化分辨率将在 1nm 级成为刚需，因而三星晶圆代工正以此为方针与合作伙伴联合研制。

  考虑到三星晶圆代工此前将 2029 年设定为 SF1.4 的量产时点并计划在 2030 年推出改进型 SF1.4+，其 1nm 节点最快也要到 2030 年才会推出。

  박창민 也说到：“在 1.4nm 及 1nm 工艺阶段，根据 0.33 NA (Low NA) EUV 的光刻多重曝光技能将成为干流。我以为尔后的新一代工艺将以 High NA 光刻技能为主。”回来搜狐，检查更加多